A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > JAN1N5553US
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5729132

JAN1N5553US

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
100+
$13.688
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    JAN1N5553US
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
    JAN1N5553US.pdf
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.3V @ 9A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    800V
  • Szállító eszközcsomag
    D-5B
  • Sebesség
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sorozat
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    2µs
  • Csomagolás
    Bulk
  • Csomagolás / tok
    SQ-MELF, B
  • Más nevek
    1086-19416
    1086-19416-MIL
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    -65°C ~ 175°C
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    8 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diódatípus
    Standard
  • Részletes leírás
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    1µA @ 800V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    3A
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "JAN1N5553US" kapcsolódó termékek.
JAN1N5552

JAN1N5552

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Leírás: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Leírás: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Leírás: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Leírás: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Leírás: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Leírás: TVS DIODE 175V 265V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Leírás: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Leírás: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Leírás: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.