A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > JAN1N5416US
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
430738JAN1N5416US képMicrosemi

JAN1N5416US

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
100+
$13.24
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    JAN1N5416US
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
    JAN1N5416US.pdf
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.5V @ 9A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    100V
  • Sebesség
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sorozat
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    150ns
  • Csomagolás
    Bulk
  • Csomagolás / tok
    B, Axial
  • Más nevek
    1086-2087
    1086-2087-MIL
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    -65°C ~ 175°C
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    8 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diódatípus
    Standard
  • Részletes leírás
    Diode Standard 100V 3A Through Hole
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    1µA @ 100V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    3A
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "JAN1N5416US" kapcsolódó termékek.
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Leírás: DIODE CURRENT REG 100V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Leírás: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Leírás: DIODE CURRENT REG 100V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Leírás: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

Leírás: DIODE CURRENT REG 100V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Leírás: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

Leírás: DIODE CURRENT REG 100V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5312-1

JAN1N5312-1

Leírás: DIODE CURRENT REG 100V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Leírás: DIODE CURRENT REG 100V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Leírás: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5311UR-1

JAN1N5311UR-1

Leírás: DIODE CURRENT REG 100V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.