1N6080US

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

100+

$38.43

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

1N6080US
Gyártó / Márka

Microsemi
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólom / RoHS nem megfelelő
Adatlapokat

1N6080US.pdf
Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha

1.5V @ 37.7A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)

100V
Szállító eszközcsomag

G-MELF (D-5C)
Sebesség

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat

-
Hátralévő helyreállítási idő (trr)

30ns
Csomagolás

Bulk
Csomagolás / tok

SQ-MELF, G
Működési hőmérséklet - csatlakozás

-65°C ~ 155°C
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Contains lead / RoHS non-compliant
Diódatípus

Standard
Részletes leírás

Diode Standard 100V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr

10µA @ 100V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)

2A
Capacitance @ Vr, F

-

Az alábbiakban az "1N6080US" kapcsolódó termékek.

1N6096

Leírás: SCHOTTKY RECTIFIER

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6080

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL

Gyártók: Semtech

Raktáron

RFQ

1N6079US

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6081US

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6078US

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6077US

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6095

Leírás: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4

Gyártók: GeneSiC Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N6096

Leírás: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

Gyártók: GeneSiC Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N6079

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL

Gyártók: Semtech

Raktáron

RFQ

1N6081

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL

Gyártók: Semtech

Raktáron

RFQ

1N6081

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6078

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6096R

Leírás: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4

Gyártók: GeneSiC Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N6097

Leírás: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO203AB

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division

Raktáron

RFQ

1N6095R

Leírás: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4

Gyártók: GeneSiC Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N6080

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6079

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6077

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N6097

Leírás: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5

Gyártók: GeneSiC Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N6076US

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 6A D5B

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

Előzetes regisztráció

1N6080US

Ajánlat kérése

referencia ár (amerikai dollárban)

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

1N6096

1N6080

1N6079US

1N6081US

1N6078US

1N6077US

1N6095

1N6096

1N6079

1N6081

1N6081

1N6078

1N6096R

1N6097

1N6095R

1N6080

1N6079

1N6077

1N6097

1N6076US

Válasszon nyelvet

Aktuális nyelv