A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SCT2H12NYTB
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
588833SCT2H12NYTB képLAPIS Semiconductor

SCT2H12NYTB

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$6.60
10+
$5.893
25+
$5.304
100+
$4.832
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SCT2H12NYTB
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.SCT2H12NYTB.pdf
    2.SCT2H12NYTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 410µA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Technológia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-268
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
  • Teljesítményleadás (Max)
    44W (Tc)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Más nevek
    SCT2H12NYTBCT
  • Üzemi hőmérséklet
    175°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    184pF @ 800V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 18V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    18V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    1700V
  • Részletes leírás
    N-Channel 1700V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SCT2H12NYTB" kapcsolódó termékek.
SCT2280KEC

SCT2280KEC

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11

Leírás: MOSFET NCH 650V 70A TO247N

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

Leírás: 1700V .75 OHM 6A SIC FET

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT2080KEC

SCT2080KEC

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT3022ALGC11

SCT3022ALGC11

Leírás: MOSFET NCH 650V 93A TO247N

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT3040KLGC11

SCT3040KLGC11

Leírás: MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT2120AFC

SCT2120AFC

Leírás: MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11

Leírás: MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT3060ALGC11

SCT3060ALGC11

Leírás: MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT20N120

SCT20N120

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Gyártók: STMicroelectronics
Raktáron
RFQ
SCT2H12NZGC11

SCT2H12NZGC11

Leírás: MOSFET N-CH 1700V 3.7A

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11

Leírás: MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT3080ALGC11

SCT3080ALGC11

Leírás: MOSFET N-CH 650V 30A TO247

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT250-250

SCT250-250

Leírás: CONN T-SPLICE TAP 250 MCM CRIMP

Gyártók: Panduit
Raktáron
RFQ
SCT2-2

SCT2-2

Leírás: CONN T-SPLICE TAP 2 AWG CRIMP

Gyártók: Panduit
Raktáron
RFQ
SCT2450KEC

SCT2450KEC

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT2/0-2/0

SCT2/0-2/0

Leírás: CONN T-SPLICE TAP 2/0 AWG CRIMP

Gyártók: Panduit
Raktáron
RFQ
SCT2160KEC

SCT2160KEC

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SCT300-300

SCT300-300

Leírás: CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP

Gyártók: Panduit
Raktáron
RFQ
SCT30N120

SCT30N120

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

Gyártók: STMicroelectronics
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.