A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > RQ3E100MNTB1
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1383842

RQ3E100MNTB1

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.483
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    RQ3E100MNTB1
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    RQ3E100MNTB1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-HSMT (3.2x3)
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    12.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    2W (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-PowerVDFN
  • Más nevek
    RQ3E100MNTB1TR
  • Üzemi hőmérséklet
    150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    520pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    9.9nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "RQ3E100MNTB1" kapcsolódó termékek.
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

Leírás: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Leírás: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Leírás: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Leírás: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.