A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > RFN5BGE3STL
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2931995RFN5BGE3STL képLAPIS Semiconductor

RFN5BGE3STL

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$0.87
10+
$0.757
100+
$0.584
500+
$0.433
1000+
$0.346
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    RFN5BGE3STL
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    SUPER FAST RECOVERY DIODE
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    RFN5BGE3STL.pdf
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.5V @ 5A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    350V
  • Szállító eszközcsomag
    TO-252GE
  • Sebesség
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sorozat
    -
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    30ns
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Más nevek
    RFN5BGE3STLCT
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    150°C (Max)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    10 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diódatípus
    Standard
  • Részletes leírás
    Diode Standard 350V 5A Surface Mount TO-252GE
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    10µA @ 350V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    5A
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "RFN5BGE3STL" kapcsolódó termékek.
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Leírás: DIODE GEN PURPOSE CPD

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Leírás: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Leírás: DIODE GEN PURPOSE CPD

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Leírás: DIODE GEN PURPOSE CPD

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Leírás: DIODE GEN PURPOSE CPD

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Leírás: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Leírás: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN6BM2DTL

RFN6BM2DTL

Leírás: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFNL10TJ6SGC9

RFNL10TJ6SGC9

Leírás: DIODE GP 600V 10A TO220ACFP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN6BM2DFHTL

RFN6BM2DFHTL

Leírás: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Leírás: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Leírás: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Leírás: DIODE GEN PURPOSE TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Leírás: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.