A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > RDN050N20FU6
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
74020RDN050N20FU6 képLAPIS Semiconductor

RDN050N20FU6

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
500+
$0.902
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    RDN050N20FU6
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    RDN050N20FU6.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-220FN
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    720 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    30W (Tc)
  • Csomagolás
    Bulk
  • Csomagolás / tok
    TO-220-3 Full Pack
  • Üzemi hőmérséklet
    150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    292pF @ 10V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    18.6nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    200V
  • Részletes leírás
    N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "RDN050N20FU6" kapcsolódó termékek.
NIF9N05CLT3

NIF9N05CLT3

Leírás: MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
NVTFS5116PLWFTAG

NVTFS5116PLWFTAG

Leírás: MOSFET P-CH 60V 14A U8FL

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Leírás: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
NTMFS4925NET1G

NTMFS4925NET1G

Leírás: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
SPD08N50C3BTMA1

SPD08N50C3BTMA1

Leírás: MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Leírás: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Leírás: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
IRLL3303TRPBF

IRLL3303TRPBF

Leírás: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
FQB3N90TM

FQB3N90TM

Leírás: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
IRLR7821TRPBF

IRLR7821TRPBF

Leírás: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Leírás: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

Leírás: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Gyártók: NXP Semiconductors / Freescale
Raktáron
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
STP28N60M2

STP28N60M2

Leírás: MOSFET N-CH 600V 24A TO-220

Gyártók: STMicroelectronics
Raktáron
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Leírás: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
SPP20N60S5HKSA1

SPP20N60S5HKSA1

Leírás: HIGH POWER_LEGACY

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Leírás: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.