A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > R6030ENZ1C9
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1707083R6030ENZ1C9 képLAPIS Semiconductor

R6030ENZ1C9

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$6.47
10+
$5.779
100+
$4.739
500+
$3.837
1000+
$3.236
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    R6030ENZ1C9
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    R6030ENZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-247
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    120W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-247-3
  • Üzemi hőmérséklet
    150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    17 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    600V
  • Részletes leírás
    N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "R6030ENZ1C9" kapcsolódó termékek.
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Leírás: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Leírás: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Leírás: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Leírás: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Leírás: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.