A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > R6020KNJTL
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
624987R6020KNJTL képLAPIS Semiconductor

R6020KNJTL

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1000+
$1.755
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    R6020KNJTL
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    NCH 600V 20A POWER MOSFET
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.R6020KNJTL.pdf
    2.R6020KNJTL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-263
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    231W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Más nevek
    R6020KNJTLTR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    17 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1550pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    600V
  • Részletes leírás
    N-Channel 600V 20A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "R6020KNJTL" kapcsolódó termékek.
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Leírás: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Gyártók: Rohm Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Leírás: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Gyártók: Powerex, Inc.
Raktáron
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.