A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömbök, előzetes > IMB4AT110
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
4193936IMB4AT110 képLAPIS Semiconductor

IMB4AT110

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    IMB4AT110
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    IMB4AT110.pdf
  • Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce telítettség (Max) Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tranzisztor típusú
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Szállító eszközcsomag
    SMT6
  • Sorozat
    -
  • Ellenállás - emitteralap (R2)
    -
  • Ellenállás - alap (R1)
    10 kOhms
  • Teljesítmény - Max
    300mW
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    SC-74, SOT-457
  • Más nevek
    IMB4AT110CT
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvencia - Átmenet
    250MHz
  • Részletes leírás
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Aktuális - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Áram - kollektor (Ic) (Max)
    100mA
  • Alap rész száma
    MB4

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "IMB4AT110" kapcsolódó termékek.
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

Leírás: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

Leírás: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Leírás: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Leírás: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

Leírás: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Leírás: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
IMB36652C

IMB36652C

Leírás: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

Leírás: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

Leírás: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

Leírás: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

Leírás: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

Leírás: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
IMB36652M12

IMB36652M12

Leírás: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

Gyártók: Crouzet
Raktáron
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.