A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > IPD12CN10NGATMA1
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1836934IPD12CN10NGATMA1 képInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGATMA1

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.97
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    IPD12CN10NGATMA1
  • Gyártó / Márka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    IPD12CN10NGATMA1.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PG-TO252-3
  • Sorozat
    OptiMOS™
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    12.4 mOhm @ 67A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    125W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Más nevek
    IPD12CN10NGATMA1-ND
    IPD12CN10NGATMA1TR
    SP001127806
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    4320pF @ 50V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    100V
  • Részletes leírás
    N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "IPD12CN10NGATMA1" kapcsolódó termékek.
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Leírás: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 80V 45A

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 59A

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2

Leírás: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Leírás: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Leírás: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Leírás: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Leírás: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Leírás: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Leírás: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Leírás: LV POWER MOS

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Leírás: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Leírás: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.