A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > IPB029N06N3GE8187ATMA1
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1466155IPB029N06N3GE8187ATMA1 képInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1000+
$1.116
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    IPB029N06N3GE8187ATMA1
  • Gyártó / Márka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    IPB029N06N3GE8187ATMA1.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 118µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    D²PAK (TO-263AB)
  • Sorozat
    OptiMOS™
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    188W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Más nevek
    IPB029N06N3 G E8187
    IPB029N06N3 G E8187-ND
    IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
    SP000939334
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    60V
  • Részletes leírás
    N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "IPB029N06N3GE8187ATMA1" kapcsolódó termékek.
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Leírás: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Gyártók: Infineon Technologies
Raktáron
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Leírás: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.