A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > IXFN32N80P
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
98512IXFN32N80P képIXYS

IXFN32N80P

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
10+
$20.391
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    IXFN32N80P
  • Gyártó / Márka
    IXYS / Littelfuse
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    IXFN32N80P.pdf
  • Feszültség - teszt
    8820pF @ 25V
  • Feszültségelosztás
    SOT-227B
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    270 mOhm @ 16A, 10V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sorozat
    PolarHV™
  • RoHS állapot
    Tube
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    29A
  • Polarizáció
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Chassis Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    8 Weeks
  • Gyártási szám
    IXFN32N80P
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    150nC @ 10V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 8mA
  • FET funkció
    N-Channel
  • Bővített leírás
    N-Channel 800V 29A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    -
  • Leírás
    MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    800V
  • Kapacitásarány
    625W (Tc)

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "IXFN32N80P" kapcsolódó termékek.
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Leírás: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Leírás: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Leírás: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Leírás: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Leírás: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Leírás: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Leírás: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Leírás: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Leírás: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Leírás: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Leírás: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Leírás: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Leírás: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Leírás: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.