SQJ416EP-T1_GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

3000+

$0.39

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

SQJ416EP-T1_GE3
Gyártó / Márka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

SQJ416EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technológia

MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag

PowerPAK® SO-8
Sorozat

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 10A, 10V
Teljesítményleadás (Max)

45W (Tc)
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

PowerPAK® SO-8
Más nevek

SQJ416EP-T1_GE3TR
Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
FET típus

N-Channel
FET funkció

-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)

10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

100V
Részletes leírás

N-Channel 100V 27A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

Az alábbiakban az "SQJ416EP-T1_GE3" kapcsolódó termékek.

SQJ415EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ423EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ402EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ418EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ420EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ431EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Gyártók: Vishay Siliconix

Raktáron

RFQ

SQJ443EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ411EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ412EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ422EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ446EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ409EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ444EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ403EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ431AEP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CHAN 200V

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ414EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ410EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ433EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ407EP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SQJ403BEEP-T1_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

Előzetes regisztráció

SQJ416EP-T1_GE3

Ajánlat kérése

referencia ár (amerikai dollárban)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Válasszon nyelvet

Aktuális nyelv