A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > SI9926CDY-T1-E3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6131583

SI9926CDY-T1-E3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.612
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI9926CDY-T1-E3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI9926CDY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • Teljesítmény - Max
    3.1W
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI9926CDY-T1-E3-ND
    SI9926CDY-T1-E3TR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    27 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • FET típus
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funkció
    Logic Level Gate
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    20V
  • Részletes leírás
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Alap rész száma
    SI9926

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI9926CDY-T1-E3" kapcsolódó termékek.
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Leírás: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9936DY

SI9936DY

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9730BBY-T1-E3

SI9730BBY-T1-E3

Leírás: IC CONTROLLR LI-ION 4.25V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Leírás: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Leírás: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

Leírás: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9936DY,518

SI9936DY,518

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Gyártók: NXP Semiconductors / Freescale
Raktáron
RFQ
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Leírás: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

Leírás: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

Leírás: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.