A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI7882DP-T1-E3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6262959SI7882DP-T1-E3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7882DP-T1-E3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI7882DP-T1-E3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI7882DP-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PowerPAK® SO-8
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
  • Teljesítményleadás (Max)
    1.9W (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    PowerPAK® SO-8
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 4.5V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    2.5V, 4.5V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    12V
  • Részletes leírás
    N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI7882DP-T1-E3" kapcsolódó termékek.
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7866ADP-T1-GE3

SI7866ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7862ADP-T1-E3

SI7862ADP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7866ADP-T1-E3

SI7866ADP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7868ADP-T1-GE3

SI7868ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.