A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

*Cégnév
*Név
*Cím

*Email cím
*Telefonszám

*Ország
*Kapcsolattartó ablak
*Esemény dátuma

*Üzenet

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.

Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI7100DN-T1-GE3

RFQs/megrendelés (0)

Magyarország

Magyarország

1288763

SI7100DN-T1-GE3 kép

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7100DN-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

SI7100DN-T1-GE3
Gyártó / Márka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

SI7100DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technológia

MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag

PowerPAK® 1212-8
Sorozat

TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

PowerPAK® 1212-8
Üzemi hőmérséklet

-50°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

3810pF @ 4V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 8V
FET típus

N-Channel
FET funkció

-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)

2.5V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

8V
Részletes leírás

N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Kapcsolódó hír
Szállítás
Fizetés

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

Szállítás

Fizetés

Az alábbiakban az "SI7100DN-T1-GE3" kapcsolódó termékek.

SI7060-EVB

SI7060-EVB

Leírás: SI7060 EVALUATION BOARD

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7108DN-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7102DN-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7060-B-00-IV

SI7060-B-00-IV

Leírás: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI7107DN-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7104DN-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7106DN-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI7100DN-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.

Kövess minket

Felhasználási feltételek Jogsértési politika Árajánlatot kér Rólunk Lépjen kapcsolatba velünk Helytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.