A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > SI4972DY-T1-E3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5607587

SI4972DY-T1-E3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4972DY-T1-E3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4972DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 6A, 10V
  • Teljesítmény - Max
    3.1W, 2.5W
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4972DY-T1-E3TR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1080pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • FET típus
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funkció
    Standard
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    10.8A, 7.2A
  • Alap rész száma
    SI4972

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4972DY-T1-E3" kapcsolódó termékek.
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4992EY-T1-GE3

SI4992EY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.