A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4896DY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2191644

SI4896DY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.806
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4896DY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4896DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    16.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    1.56W (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4896DY-T1-GE3TR
    SI4896DYT1GE3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    6V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    80V
  • Részletes leírás
    N-Channel 80V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    6.7A (Ta)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4896DY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.