A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4833BDY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6779992

SI4833BDY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.306
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4833BDY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4833BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SOIC
  • Sorozat
    LITTLE FOOT®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    68 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    2.75W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4833BDY-T1-GE3-ND
    SI4833BDY-T1-GE3TR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET típus
    P-Channel
  • FET funkció
    Schottky Diode (Isolated)
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    P-Channel 30V 4.6A (Tc) 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4833BDY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Leírás: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4834BDY-T1-GE3

SI4834BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4831-B30-GUR

SI4831-B30-GUR

Leírás: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4831BDY-T1-GE3

SI4831BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4835-B30-GUR

SI4835-B30-GUR

Leírás: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4835-DEMO

SI4835-DEMO

Leírás: BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4830CDY-T1-GE3

SI4830CDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4835-B30-GU

SI4835-B30-GU

Leírás: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4831-B30-GU

SI4831-B30-GU

Leírás: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4835BDY-T1-E3

SI4835BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.