A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4488DY-T1-E3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5909126

SI4488DY-T1-E3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$2.20
10+
$1.986
100+
$1.596
500+
$1.241
1000+
$1.029
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4488DY-T1-E3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4488DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    1.56W (Ta)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4488DY-T1-E3CT
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    33 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    150V
  • Részletes leírás
    N-Channel 150V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4488DY-T1-E3" kapcsolódó termékek.
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.