A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4396DY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6409281

SI4396DY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4396DY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4396DY-T1-GE3TR
    SI4396DYT1GE3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1675pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 16A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)
SI4384DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4401DY-T1-E3

SI4401DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4378DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4398DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez