A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

*Cégnév
*Név
*Cím

*Email cím
*Telefonszám

*Ország
*Kapcsolattartó ablak
*Esemény dátuma

*Üzenet

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.

Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4103DY-T1-GE3

RFQs/megrendelés (0)

Magyarország

Magyarország

3371117

SI4103DY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

2500+

$0.327

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

SI4103DY-T1-GE3
Gyártó / Márka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET P-CHAN 30V SO-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

SI4103DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technológia

MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag

8-SO
Sorozat

TrenchFET® Gen III
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

7.9 mOhm @ 10A, 10V
Teljesítményleadás (Max)

2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek

SI4103DY-GE3
SI4103DY-T1-GE3TR
Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje

32 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
FET típus

P-Channel
FET funkció

-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)

4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

30V
Részletes leírás

P-Channel 30V 14A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 16A (Tc)

Kapcsolódó hír
Szállítás
Fizetés

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

Szállítás

Fizetés

Az alábbiakban az "SI4103DY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.

SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4112-BT

SI4112-BT

Leírás: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

Leírás: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4112-D-GTR

SI4112-D-GTR

Leírás: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4112-D-GM

Leírás: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4112-BM

SI4112-BM

Leírás: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

Leírás: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4112-D-GMR

Leírás: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

Leírás: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Leírás: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4112-D-GT

SI4112-D-GT

Leírás: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.

Kövess minket

Felhasználási feltételek Jogsértési politika Árajánlatot kér Rólunk Lépjen kapcsolatba velünk Helytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.