A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI2303CDS-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3943114

SI2303CDS-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.146
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI2303CDS-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI2303CDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    1W (Ta), 2.3W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Más nevek
    SI2303CDS-T1-GE3TR
    SI2303CDST1GE3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    155pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 10V
  • FET típus
    P-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    P-Channel 30V 2.7A (Tc) 1W (Ta), 2.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Tc)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI2303CDS-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI2302DS,215

SI2302DS,215

Leírás: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Gyártók: NXP Semiconductors / Freescale
Raktáron
RFQ
SI2303CDS-T1-E3

SI2303CDS-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2304DS,215

SI2304DS,215

Leírás: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Gyártók: Nexperia
Raktáron
RFQ
SI2304-TP

SI2304-TP

Leírás: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Gyártók: Micro Commercial Components (MCC)
Raktáron
RFQ
SI2303BDS-T1

SI2303BDS-T1

Leírás: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2302ADS-T1-GE3

SI2302ADS-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2305-TP

SI2305-TP

Leírás: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Gyártók: Micro Commercial Components (MCC)
Raktáron
RFQ
SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2305B-TP

SI2305B-TP

Leírás: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Gyártók: Micro Commercial Components (MCC)
Raktáron
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI2303-TP

SI2303-TP

Leírás: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Gyártók: Micro Commercial Components (MCC)
Raktáron
RFQ
SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.