A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI1012R-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
4784778SI1012R-T1-GE3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1012R-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$0.62
10+
$0.483
100+
$0.332
500+
$0.227
1000+
$0.171
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI1012R-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI1012R-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    SC-75A
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Teljesítményleadás (Max)
    150mW (Ta)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    SC-75A
  • Más nevek
    SI1012R-T1-GE3CT
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    33 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    0.75nC @ 4.5V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    1.8V, 4.5V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    20V
  • Részletes leírás
    N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI1012R-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 12V SC-89

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1012-TP

SI1012-TP

Leírás: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

Gyártók: Micro Commercial Components (MCC)
Raktáron
RFQ
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1011-C-GM2R

SI1011-C-GM2R

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1012-A-GM

SI1012-A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1012-C-GM2

SI1012-C-GM2

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1012-C-GM2R

SI1012-C-GM2R

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1012-A-GMR

SI1012-A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1011-C-GM2

SI1011-C-GM2

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.