A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMTH6010SK3Q-13
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
21149

DMTH6010SK3Q-13

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$1.40
10+
$1.237
100+
$0.977
500+
$0.758
1000+
$0.598
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMTH6010SK3Q-13
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET NCH 60V 16.3A TO252
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS megfelel
  • Adatlapokat
    DMTH6010SK3Q-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-252-4L
  • Sorozat
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    3.1W (Ta)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Más nevek
    DMTH6010SK3Q-13DICT
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    24 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2841pF @ 30V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    38.1nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    60V
  • Részletes leírás
    N-Channel 60V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    16.3A (Ta), 70A (Tc)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMTH6010SK3Q-13" kapcsolódó termékek.
DMTT-1000

DMTT-1000

Leírás: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

Gyártók: Bel
Raktáron
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Leírás: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Leírás: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Leírás: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Leírás: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Leírás: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Leírás: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Leírás: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Leírás: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Leírás: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Leírás: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Leírás: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.