A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMT10H015LK3-13
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2082724DMT10H015LK3-13 képDiodes Incorporated

DMT10H015LK3-13

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$1.33
10+
$1.175
100+
$0.929
500+
$0.72
1000+
$0.569
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMT10H015LK3-13
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS megfelel
  • Adatlapokat
    DMT10H015LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-252, (D-Pak)
  • Sorozat
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 20A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    2.9W (Ta)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Más nevek
    DMT10H015LK3-13DICT
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    24 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    6V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    100V
  • Részletes leírás
    N-Channel 100V 50A (Tc) 2.9W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMT10H015LK3-13" kapcsolódó termékek.
DMT1D47K-F

DMT1D47K-F

Leírás: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Leírás: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Leírás: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
DMT1D33K

DMT1D33K

Leírás: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Leírás: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 10A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Leírás: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Leírás: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 10A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Leírás: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Leírás: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V SO-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Leírás: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Leírás: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Leírás: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Leírás: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.