A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMN7022LFGQ-7
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1408136

DMN7022LFGQ-7

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2000+
$0.465
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMN7022LFGQ-7
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    DMN7022LFGQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PowerDI3333-8
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.2A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    2W (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-PowerVDFN
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    32 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2737pF @ 35V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    56.5nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    75V
  • Részletes leírás
    N-Channel 75V 23A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMN7022LFGQ-7" kapcsolódó termékek.
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Leírás: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Leírás: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Leírás: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Leírás: MOSFET N-CH 60V SOT323

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

Leírás: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Gyártók: Panduit
Raktáron
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Leírás: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Leírás: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Gyártók: Panduit
Raktáron
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Leírás: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Gyártók: Panduit
Raktáron
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Leírás: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Leírás: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Leírás: MOSFET N-CH 60V SOT323

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Leírás: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Leírás: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Leírás: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.