A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > FDN308P
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5694105

FDN308P

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.172
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    FDN308P
  • Gyártó / Márka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.FDN308P.pdf
    2.FDN308P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    SuperSOT-3
  • Sorozat
    PowerTrench®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Teljesítményleadás (Max)
    500mW (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Más nevek
    FDN308P-ND
    FDN308PFSTR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    42 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    341pF @ 10V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4nC @ 4.5V
  • FET típus
    P-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    2.5V, 4.5V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    20V
  • Részletes leírás
    P-Channel 20V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "FDN308P" kapcsolódó termékek.
FDN306P

FDN306P

Leírás: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN342P

FDN342P

Leírás: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN304P

FDN304P

Leírás: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN-010

FDN-010

Leírás: S/S .010" NEEDLE, 10/PK

Gyártók: Chemtronics
Raktáron
RFQ
FDN337N

FDN337N

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN028N20

FDN028N20

Leírás: MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN-020

FDN-020

Leírás: S/S .020" NEEDLE, 10/PK

Gyártók: Chemtronics
Raktáron
RFQ
FDN335N

FDN335N

Leírás: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN357N

FDN357N

Leírás: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN327N

FDN327N

Leírás: MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN338P

FDN338P

Leírás: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Leírás: INTEGRATED CIRCUIT

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN340P

FDN340P

Leírás: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Leírás: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN304PZ

FDN304PZ

Leírás: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Leírás: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN302P

FDN302P

Leírás: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN336P-NL

FDN336P-NL

Leírás: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN336P

FDN336P

Leírás: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Leírás: MOSFET N-CH

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.