A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > FCU2250N80Z
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3514704FCU2250N80Z képAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    FCU2250N80Z
  • Gyártó / Márka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    FCU2250N80Z.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    I-PAK
  • Sorozat
    SuperFET® II
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    39W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    800V
  • Részletes leírás
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "FCU2250N80Z" kapcsolódó termékek.
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Leírás: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Leírás: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Leírás: MOSFET N-CH 600V IPAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Leírás: TRANS SJT 1200V 5A

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Leírás: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCU-2

FCU-2

Leírás: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Gyártók: Bussmann (Eaton)
Raktáron
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Leírás: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Leírás: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Gyártók: Murata Electronics
Raktáron
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Leírás: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCU-7

FCU-7

Leírás: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Gyártók: Bussmann (Eaton)
Raktáron
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Leírás: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Leírás: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
IXTC200N10T

IXTC200N10T

Leírás: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

SPA15N65C3XKSA1

Leírás: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Leírás: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Leírás: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Leírás: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Leírás: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Leírás: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.