A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > FCP20N60
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3898489

FCP20N60

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$7.55
10+
$6.745
100+
$5.531
500+
$4.479
1000+
$3.777
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    FCP20N60
  • Gyártó / Márka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.FCP20N60.pdf
    2.FCP20N60.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-220-3
  • Sorozat
    SuperFET™
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    208W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-220-3
  • Más nevek
    FCP20N60_NL
    FCP20N60_NL-ND
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    3080pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    98nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    600V
  • Részletes leírás
    N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "FCP20N60" kapcsolódó termékek.
FCP1913H823G-E4

FCP1913H823G-E4

Leírás: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP1913H683J-E2

FCP1913H683J-E2

Leírás: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP20N60FS

FCP20N60FS

Leírás: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCP1913H683J

FCP1913H683J

Leírás: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP220N80

FCP220N80

Leírás: MOSFET N-CH 800V 23A

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCP1913H823G

FCP1913H823G

Leírás: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP1913H683G-E2

FCP1913H683G-E2

Leírás: CAP FILM 0.068UF 2% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP2416H124G-D1

FCP2416H124G-D1

Leírás: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP22N60N

FCP22N60N

Leírás: MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCP1913H823J

FCP1913H823J

Leírás: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP2416H124G

FCP2416H124G

Leírás: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP1913H823J-E2

FCP1913H823J-E2

Leírás: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP1913H683J-E1

FCP1913H683J-E1

Leírás: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP22N60N-F102

FCP22N60N-F102

Leírás: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCP2416H124J-D1

FCP2416H124J-D1

Leírás: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP2416H124J

FCP2416H124J

Leírás: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP20N60_F080

FCP20N60_F080

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FCP1913H823G-E2

FCP1913H823G-E2

Leírás: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP1913H823J-E4

FCP1913H823J-E4

Leírás: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Gyártók: Cornell Dubilier Electronics
Raktáron
RFQ
FCP20N60_G

FCP20N60_G

Leírás: INTEGRATED CIRCUIT

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.