A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > RS1G260MNTB
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3297845RS1G260MNTB képLAPIS Semiconductor

RS1G260MNTB

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$2.05
10+
$1.851
100+
$1.487
500+
$1.157
1000+
$0.958
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    RS1G260MNTB
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.RS1G260MNTB.pdf
    2.RS1G260MNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-HSOP
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 26A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    3W (Ta), 35W (Tc)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    8-PowerTDFN
  • Más nevek
    RS1G260MNTBCT
  • Üzemi hőmérséklet
    150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    40 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2988pF @ 20V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    40V
  • Részletes leírás
    N-Channel 40V 26A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    26A (Ta)

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "RS1G260MNTB" kapcsolódó termékek.
RS1GFA

RS1GFA

Leírás: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Leírás: DIODE

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Leírás: DIODE, FAST, 1A, 400V

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Leírás: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Leírás: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Leírás: DIODE

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Leírás: DIODE, FAST, 1A, 400V

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Leírás: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.