A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SIR814DP-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
62727SIR814DP-T1-GE3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR814DP-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SIR814DP-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SIR814DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PowerPAK® SO-8
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 20A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    PowerPAK® SO-8
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    3800pF @ 20V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    40V
  • Részletes leírás
    N-Channel 40V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SIR814DP-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Leírás: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR844DP-T1-GE3

SIR844DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.