A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

*Cégnév
*Név
*Cím

*Email cím
*Telefonszám

*Ország
*Kapcsolattartó ablak
*Esemény dátuma

*Üzenet

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.

Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > SI5513CDC-T1-GE3

RFQs/megrendelés (0)

Magyarország

Magyarország

3817140

SI5513CDC-T1-GE3 kép

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5513CDC-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

3000+

$0.241

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

SI5513CDC-T1-GE3
Gyártó / Márka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

SI5513CDC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Szállító eszközcsomag

1206-8 ChipFET™
Sorozat

TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Teljesítmény - Max

3.1W
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

8-SMD, Flat Lead
Más nevek

SI5513CDC-T1-GE3TR
SI5513CDCT1GE3
Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 5V
FET típus

N and P-Channel
FET funkció

Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

20V
Részletes leírás

Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

4A, 3.7A
Alap rész száma

SI5513

Kapcsolódó hír
Szállítás
Fizetés

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Szállítás

Fizetés

Az alábbiakban az "SI5513CDC-T1-GE3" kapcsolódó termékek.

SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5511DC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5504DC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5499DC-T1-GE3

SI5499DC-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5509DC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI570-PROG-EVB

Leírás: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

SI5515DC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5517DU-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SI5513DC-T1-E3

Leírás: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.

Kövess minket

Felhasználási feltételek Jogsértési politika Árajánlatot kér Rólunk Lépjen kapcsolatba velünk Helytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.